而數(shù)顯的微測量裝置，用于顯示被測材料樣品的厚度。
陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導損耗、松弛質(zhì)點的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。
器�？梢栽诠ゎl高壓下，現(xiàn)場測量各種決緣材料、決緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設備的介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置標準電容器和升壓電源，體積小、重量輕，便于攜帶，具有操作簡單、自動測量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強等優(yōu)點,亦可外接電源與本廠生產(chǎn)的各種規(guī)格的高電壓等級的標準電容器配套使用，用以測量高壓介損。
緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗，僅有的一點損耗是由漏導引起的（包括本質(zhì)電導和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導）。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等
6位數(shù)字顯示；In: 英制測量模式；INC：相對測量模式；ABS：決對測量模式；Set： 初始值設置； ：電池電壓低報警（ 電池的更換見后面五注意事項 ）； ： 數(shù)據(jù)輸出。 5）數(shù)據(jù)發(fā)送按鍵（本裝置沒有此功能） 6）ABS /INC/UNIT 按鍵：短按時（小于 1 秒）為 ABS /INC 轉(zhuǎn)換，長按時（大于 1 秒） 為英制/公制轉(zhuǎn)換。 7）ON/OFF/ SET 按鍵：短按時為開關(guān)液晶顯示屏；長按時為初始值設置。 8）平板電容器極片 9）夾具插頭 2．被測樣品的準備 被測樣品要求為圓形，直徑 50.4--52mm/38.4--40mm，這是減小因樣品邊緣泄漏和邊 緣電場引起的誤差的有效辦法。
該儀器同樣適用于車間、試驗室、科研單位測量高壓電器設備的tgδ及電容量；配以決緣油杯可測試決緣油介質(zhì)損耗。
陶瓷材料的損耗
把配用的 Q 表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
品止（注意調(diào)節(jié)時要用測微桿，以免夾得過緊或過松），這時能讀取的測試裝置液晶顯示 屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度 D2。改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表處于諧振點上。 b. 取出平板電容器中的樣品，這時 Q 表又失諧，此時調(diào)節(jié)平板電容器，使 Q 表再 回到諧振點上，讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為 D4 c. 計算被測樣品的介電常數(shù)： Σ＝D2 / D4 5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測試 a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到 Q 表測試回路的“電容”兩個端上。 把被測樣品插入二極片之間，改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表處于諧振點上，讀得 Q 值，記為 Q2。電容讀數(shù)記為 C2。 b. 取出平板電容器中的樣品，這時 Q 表又失諧，再改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表重新處于諧振點上。讀得 Q 值，記為 Q1。電容讀數(shù)記為 C1。 c. 然后取下測試裝置，再改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記 為 C3，此時可計算得到測試裝置的電容為 CZ = C3 －C1 d. 計算被測樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)
配用 Q 表作為調(diào)諧指示儀器，通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進材料樣品時的 Q 值變 化，可測得決緣材料的損耗角正切值。
各部件名稱： 1）棘輪測力（測微桿） 2）刻線讀數(shù)裝置 3）鎖緊裝置 4）液晶顯示屏
該儀器是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場全自動測量各種高壓電力設備介損正切值及電容量的高精度儀器。能保證在強電場干擾下準確測量。儀器增加了中文菜單功能，操作更為簡單，方便。一次操作，微機自動完成全過程的測量。是目前醉理想的介損測量設備。
該儀器可用正、反接線方法測量不接地或直接接地的高壓電器設備。
損耗角正切值）的測試。916 介質(zhì)損耗測試裝置采用了帶數(shù)顯的 微測量裝置，因而在測試時，讀數(shù)更直觀方便，數(shù)據(jù)更精確。
專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測定儀
全自動抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種新穎的測量介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）的智能化儀 介質(zhì)損耗測試儀圖片
把本測試裝置上的夾具插頭插入到 Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
結(jié)構(gòu)松散的離子晶體，如莫來石（3Al2O3·2SiO2）、董青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動范圍擴大。在外電場作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運動，產(chǎn)生電導打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來回運動，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應用于低頻場合。
多種測量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標準電容器和內(nèi)/外試驗電壓進行測量。正接
儀器內(nèi)部裝備了高壓升壓變壓器，并采取了過零合閘、防雷擊等安全保護措施。試驗過程中直接加220V交流電源，可輸出2KV、5KV、10KV 不同等級的高壓，操作簡單、安全。
專業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測定儀
特點：n 自動簡單 接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩升、緩降，全自動測量，結(jié)果直讀，無須換算。
復雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個部分：電導耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢，取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下，電導損耗占優(yōu)勢：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機理還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來說，簡單玻璃的損耗是很小的，這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動性增大，造成電導損耗和松弛損耗增加。
工作特性 1. 平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ25.4mm （標配） 可選 極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 3. 夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz） 4．測微桿分辨率：0.001mm
工作原理 本測試裝置主要由一個數(shù)顯的微測量裝置和一組間距可調(diào)的平板電容器組成，平板電 容器用于夾持被測材料樣品。
配上和測試頻率相適應的高 Q 值電感線圈（本公司 Q 表配套使用的 LKI-1 電感組 能滿足要求），如：1MHz 時電感取 250uH，15MHz 時電感取
樣品厚度可在 1--5mm 之間，樣品太薄或太厚就會使測試 精度下降，樣品要盡可能平直。 下面推薦一種能提高測試精確性的方法：準備二片厚 0.05mm 的圓形錫膜，直徑和平 板電容器極片一致，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘著作用，又能排除接 觸面之間殘余空氣，把錫膜再粘在平板電容器兩個極片上，粘好后，極片呈鏡面狀為佳， 然后放上被測樣品。
在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟體、多品型轉(zhuǎn)變等。 [3]
線可測量高壓介損離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。
測試準備工作 先要詳細了解配用 Q 表的使用方法，操作時，要避免人體感應的影響。
同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算可得到 決緣材料介電常數(shù)。
高分子材料的損耗
玻璃的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個值愈高。
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